隨著(zhù)電子技術(shù)的發(fā)展，電子產(chǎn)品的集成化程度越來(lái)越高，結構越來(lái)越細微，工序越來(lái)越多，制造工藝越來(lái)越復雜，這樣在制造過(guò)程中會(huì )產(chǎn)生一些潛伏缺陷。電子產(chǎn)品在生產(chǎn)制造時(shí),因設計不合理、原材料或工藝措施方面的原因引起產(chǎn)品的質(zhì)量問(wèn)題概括有兩類(lèi)，*類(lèi)是產(chǎn)品的性能參數不達標，生產(chǎn)的產(chǎn)品不符合使用要求；第二類(lèi)是潛在的缺陷，這類(lèi)缺陷不能用一般的測試手段發(fā)現，而需要在使用過(guò)程中逐漸地被暴露，如硅片表面污染、組織不穩定、焊接空洞、芯片和管殼熱阻匹配不良等等。一般這種缺陷需要在元器件工作于額定功率和正常工作溫度下運行一千個(gè)小時(shí)左右才能全部被激活(暴露)。顯然，對每只元器件測試一千個(gè)小時(shí)是不現實(shí)的，所以需要對其施加熱應力和偏壓，例如進(jìn)行高溫功率應力試驗，來(lái)加速這類(lèi)缺陷的提早暴露。也就是給電子產(chǎn)品施加熱的、電的、機械的或多種綜合的外部應力，模擬嚴酷工作環(huán)境，消除加工應力和殘余溶劑等物質(zhì)，使潛伏故障提前出現，盡快使產(chǎn)品通過(guò)失效浴盆特性初期階段，進(jìn)入高可靠的穩定期?！?/span> 試驗目的：通過(guò)高溫老化可以使元器件的缺陷、焊接和裝配等生產(chǎn)過(guò)程中存在的隱患提前暴露，老化后再進(jìn)行電氣參數測量，篩選剔除失效或變值的元器件，盡可能把產(chǎn)品的早期失效消滅在正常使用之用，從面保證出廠(chǎng)的產(chǎn)品能經(jīng)得起時(shí)間的考驗。 | 
